研發單位

國立交通大學 / 崔秉鉞教授

國立清華大學 / 黃智方教授

國立臺灣大學 / 李坤彥教授

技術簡介

研發碳化矽單晶片功率系統平台，包含低壓CMOS元件與邏輯電路、高壓BCD元件與驅動電路、垂直型高功率超接面 MOSFET等元件、製程、電路之整合技術，各項規格均超越現有國際水準。可應用於能源網路、軌道運輸、電動車、數據 中心、航太國防等產業。

技術之科學突破性

本單晶片功率系統平台將提供優於現有國際水準的碳化矽低壓邏輯積體電路技術；提供多種橫向型高壓元件，以實現國際 尚未成功的碳化矽驅動電路；並完成尚無產品問世的600 V ~ 3.3 kV的超接面碳化矽電晶體技術，突破理論極限。以上均 為領先國際水準的技術。

技術之產業應用性

本計畫開發600V到3.3kV的超接面電晶體，廣泛應用於電動車、智慧電網、軌道運輸等場域，而超接面結構可以大幅降 低導通電阻，減少功率損耗，是難度最高的結構。此超接面電晶體將與全碳化矽的驅動電路與邏輯電路整合，以最大化發 揮碳化矽的材料優勢。對節能減碳，催生新的經濟產業，將發揮重要作用，是未來5~10年的國家關鍵技術。